РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGH25N120FTDS

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81073
802.74 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A 
Power - Max 313W 
Switching Energy 1.42mJ (on), 1.16mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 169nC 
Td (on/off) @ 25°C 26ns/151ns 
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 535ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 50A 313W TO247 - IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы FGH25N120FTDS

Datasheet FGH25N120FTDS (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Мин. кол-воЦена
802.74 р. 
FGH25N120FTDS
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.