РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGH30N120FTDTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81985

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A 
Power - Max 339W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 208nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 730ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 60A 339W TO247 - IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы FGH30N120FTDTU

Datasheet FGH30N120FTDTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
FGH30N120FTDTU
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.