РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGH50N6S2D

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81112
892.49 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 75A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A 
Power - Max 463W 
Switching Energy 260µJ (on), 250µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 70nC 
Td (on/off) @ 25°C 13ns/55ns 
Test Condition 390V, 30A, 3 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 55ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 600V 75A 463W TO247 - IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы FGH50N6S2D

Datasheet FGH50N6S2D (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Мин. кол-воЦена
892.49 р. 
FGH50N6S2D
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.