| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 528.64 р. |
| 5 | 500.32 р. |
| 50 | 491.45 р. |
![FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]](https://r-ek.ru/i/p/248/300_425/8a6a29224d.jpg)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.