РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGP10N60UNDF

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 79666
205.02 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 20A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 10A 
Power - Max 139W 
Switching Energy 150µJ (on), 50µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 37nC 
Td (on/off) @ 25°C 8ns/52.2ns 
Test Condition 400V, 10A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 37.7ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220-3 

Описание

IGBT 600V 20A 139W TO220-3 - IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3

IGBT транзисторы FGP10N60UNDF

Datasheet FGP10N60UNDF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 295 шт.
Мин. кол-воЦена
205.02 р. 
10 184.52 р. 
100 148.28 р. 
500 121.83 р. 
1,000 100.94 р. 
FGP10N60UNDF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.