РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGP30N6S2D

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81622

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 45A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 108A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A 
Power - Max 167W 
Switching Energy 55µJ (on), 100µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 23nC 
Td (on/off) @ 25°C 6ns/40ns 
Test Condition 390V, 12A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 46ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220AB 

Описание

IGBT 600V 45A 167W TO220AB - IGBT 600V 45A 167W Through Hole TO-220AB

IGBT транзисторы FGP30N6S2D

Datasheet FGP30N6S2D (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
FGP30N6S2D
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.