РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGPF30N30TDTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81972

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V 
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A 
Power - Max 44.6W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 65nC 
Td (on/off) @ 25°C 22ns/130ns 
Test Condition 200V, 20A, 20 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 22ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 
Supplier Device Package TO-220F 
Base Part Number FGPF30N30 

Описание

IGBT 300V 44.6W TO220F - IGBT Trench 300V 44.6W Through Hole TO-220F

IGBT транзисторы FGPF30N30TDTU

Datasheet FGPF30N30TDTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
FGPF30N30TDTU
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.