РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А [TO-247]

Производитель: ONSemiconductor
Арт: 34080
774.08 р.

Техническая спецификация

Максимальное напряжение кэ ,В 
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 
Максимальная частота переключения, кГц 
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением  
Мощность макс.,Вт 
Управляющее напряжение,В 
Температурный диапазон,С 
Корпус 
Особенности*: сфера применения  

Описание

FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А [TO-247] - IGBT транзисторы

IGBT транзисторы FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А [TO-247]

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 693 шт.
Мин. кол-воЦена
774.08 р. 
740.10 р. 
50 728.07 р. 
FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А [TO-247]
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.