РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FII50-12E

Производитель: IXYS
Арт: 75090

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Power - Max 200W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A 
Current - Collector Cutoff (Max) 400µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case i4-Pac™-5 
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™ 

Описание

IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5 - IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

IGBT модули FII50-12E

Datasheet FII50-12E (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.