РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FP75R07N2E4B11BOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75846
7 888.88 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Three Phase Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 75A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A 
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.6nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT MODULE VCES 600V 75A - IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 650V 75A Chassis Mount Module

IGBT модули FP75R07N2E4B11BOSA1

Datasheet FP75R07N2E4B11BOSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
7 888.88 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.