РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FQD7N10TM

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130243

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series QFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V 
Vgs (Max) ±25V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 2.9A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D-Pak 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK - N-Channel 100V 5.8A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak

Транзисторы полевые FQD7N10TM

Datasheet FQD7N10TM (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
FQD7N10TM
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.