| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | QFET® |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 150mA, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 - N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые FQN1N60CBU
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.