РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FS75R12W2T4B11BOMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75670
5 387.16 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Full Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 107A 
Power - Max 375W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A 
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2 - IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 107A 375W Chassis Mount Module

IGBT модули FS75R12W2T4B11BOMA1

Datasheet FS75R12W2T4B11BOMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
5 387.16 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.