РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

GA35XCP12-247

Производитель: GeneSiC Semiconductor
Арт: 81356
2 830.27 р.

Техническая спецификация

Manufacturer GeneSiC Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector Pulsed (Icm) 35A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A 
Switching Energy 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 50nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 800V, 35A, 22 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 36ns 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AB 

Описание

IGBT 1200V SOT247 - IGBT PT 1200V Through Hole TO-247AB

IGBT транзисторы GA35XCP12-247

Datasheet GA35XCP12-247 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Мин. кол-воЦена
2 830.27 р. 
GA35XCP12-247
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.