РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

GB35XF120K

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 76611

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Configuration Three Phase Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Power - Max 284W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A 
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.475nF @ 30V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case ECONO2 
Supplier Device Package 

Описание

MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK - IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 50A 284W Chassis Mount

IGBT модули GB35XF120K

Datasheet GB35XF120K (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.