РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

GP1M003A040CG

Производитель: Global Power Technologies Group
Арт: 135175

Техническая спецификация

Manufacturer Global Power Technologies Group 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 30W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 1A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D-Pak 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK - N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak

Транзисторы полевые GP1M003A040CG

Datasheet GP1M003A040CG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
GP1M003A040CG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.