РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

GP1M016A025FG

Производитель: Global Power Technologies Group
Арт: 135291

Техническая спецификация

Manufacturer Global Power Technologies Group 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 944pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 30.4W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 8A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220F 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 

Описание

MOSFET N-CH 250V 16A TO220F - N-Channel 250V 16A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole TO-220F

Транзисторы полевые GP1M016A025FG

Datasheet GP1M016A025FG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
GP1M016A025FG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.