РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

GSID150A120S3B1

Производитель: Global Power Technologies Group
Арт: 75889
8 845.57 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Global Power Technologies Group 
Series Amp+™ 
Part Status Active 
IGBT Type 
Configuration 2 Independent 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 300A 
Power - Max 940W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 150A 
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case D-3 Module 
Supplier Device Package D3 

Описание

SILICON IGBT MODULES - IGBT Module 2 Independent 1200V 300A 940W Chassis Mount D3

IGBT модули GSID150A120S3B1

Datasheet GSID150A120S3B1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
8 845.57 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.