РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

GT10G131(TE12L,Q)

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Арт: 81989

Техническая спецификация

Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A 
Power - Max 1W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Td (on/off) @ 25°C 3.1µs/2µs 
Test Condition 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0) 
Base Part Number GT10 

Описание

IGBT 400V 1W 8-SOIC - IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)

IGBT транзисторы GT10G131(TE12L,Q)

Datasheet GT10G131(TE12L,Q) (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
GT10G131(TE12L,Q)
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.