РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

GT50J327, Параметры: Vces=575В. Проверено, TO3PN

Производитель: Toshiba
Арт: 34087
566.40 р.

Техническая спецификация

Максимальное напряжение кэ ,В 
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 
Максимальная частота переключения, кГц 
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением  
Мощность макс.,Вт 
Управляющее напряжение,В 
Температурный диапазон,С 
Корпус 
Особенности*: сфера применения  

Описание

GT50J327, Параметры: Vces=575В. Проверено, TO3PN - IGBT транзисторы

IGBT транзисторы GT50J327, Параметры: Vces=575В. Проверено, TO3PN

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 841 шт.
Мин. кол-воЦена
566.40 р. 
436.13 р. 
25 362.31 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.