РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

H7N1002LS-E

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 135446

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9700pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 100W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 37.5A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 4-LDPAK 
Package / Case SC-83 

Описание

MOSFET N-CH 100V LDPAK - N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK

Транзисторы полевые H7N1002LS-E

Datasheet H7N1002LS-E (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
H7N1002LS-E
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.