| Manufacturer | Renesas Electronics America |
| Series | - |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-WPAK |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
MOSFET N-CH WPAK - N-Channel 200V 17A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
Транзисторы полевые HAT2287WP-EL-E
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.