РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HAT2299WP-EL-E

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 135450

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 25W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 7A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-WPAK 
Package / Case 8-PowerWDFN 

Описание

MOSFET N-CH WPAK - N-Channel 150V 14A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount 8-WPAK

Транзисторы полевые HAT2299WP-EL-E

Datasheet HAT2299WP-EL-E (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
HAT2299WP-EL-E
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.