| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 298W |
| Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Base Part Number | HGT1S10N120 |
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB - IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
IGBT транзисторы HGT1S10N120BNS
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 334.29 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.