РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGT1S14N36G3VLT

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81712

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V 
Current - Collector (Ic) (Max) 18A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 5V, 14A 
Power - Max 100W 
Switching Energy 
Input Type Logic 
Gate Charge 24nC 
Td (on/off) @ 25°C -/7µs 
Test Condition 300V, 7A, 25 Ohm, 5V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 
Supplier Device Package I2PAK (TO-262) 

Описание

IGBT 390V 18A 100W TO262AA - IGBT 390V 18A 100W Through Hole I2PAK (TO-262)

IGBT транзисторы HGT1S14N36G3VLT

Datasheet HGT1S14N36G3VLT (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
HGT1S14N36G3VLT
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.