РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGT1S20N35G3VLS

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81725

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 375V 
Current - Collector (Ic) (Max) 20A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 5V, 20A 
Power - Max 150W 
Switching Energy 
Input Type Logic 
Gate Charge 28.7nC 
Td (on/off) @ 25°C -/15µs 
Test Condition 300V, 10A, 25 Ohm, 5V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package TO-263AB 

Описание

IGBT 380V 20A 150W TO263AB - IGBT 375V 20A 150W Surface Mount TO-263AB

IGBT транзисторы HGT1S20N35G3VLS

Datasheet HGT1S20N35G3VLS (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
HGT1S20N35G3VLS
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.