РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGT1S2N120CN

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81698

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 13A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 20A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A 
Power - Max 104W 
Switching Energy 96µJ (on), 355µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 30nC 
Td (on/off) @ 25°C 25ns/205ns 
Test Condition 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 
Supplier Device Package TO-262 

Описание

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK - IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262

IGBT транзисторы HGT1S2N120CN

Datasheet HGT1S2N120CN (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.