РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGT1S3N60A4DS9A

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81973

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 17A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A 
Power - Max 70W 
Switching Energy 37µJ (on), 25µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 21nC 
Td (on/off) @ 25°C 6ns/73ns 
Test Condition 390V, 3A, 50 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 29ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package TO-263AB 

Описание

IGBT 600V 17A 70W D2PAK - IGBT 600V 17A 70W Surface Mount TO-263AB

IGBT транзисторы HGT1S3N60A4DS9A

Datasheet HGT1S3N60A4DS9A (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
HGT1S3N60A4DS9A
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.