РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGT1S7N60A4DS

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81946

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 34A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A 
Power - Max 125W 
Switching Energy 55µJ (on), 60µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 37nC 
Td (on/off) @ 25°C 11ns/100ns 
Test Condition 390V, 7A, 25 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 34ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package TO-263AB 

Описание

IGBT 600V 34A 125W TO263AB - IGBT 600V 34A 125W Surface Mount TO-263AB

IGBT транзисторы HGT1S7N60A4DS

Datasheet HGT1S7N60A4DS (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
HGT1S7N60A4DS
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.