РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGT1S7N60C3DS9A

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81708

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 14A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A 
Power - Max 60W 
Switching Energy 165µJ (on), 600µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 23nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 480V, 7A, 50 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 37ns 
Operating Temperature 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package TO-263AB 

Описание

IGBT 600V 14A 60W TO263AB - IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB

IGBT транзисторы HGT1S7N60C3DS9A

Datasheet HGT1S7N60C3DS9A (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
HGT1S7N60C3DS9A
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.