| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK] - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 207.68 р. |
| 25 | 157.27 р. |
| 250 | 154.80 р. |
![HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]](https://r-ek.ru/i/p/bbc/300_425/c314290f50.jpg)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.