РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]

Производитель: ONSemiconductor
Арт: 34089
207.68 р.

Техническая спецификация

Максимальное напряжение кэ ,В 
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 
Максимальная частота переключения, кГц 
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением  
Мощность макс.,Вт 
Управляющее напряжение,В 
Температурный диапазон,С 
Корпус 
Особенности*: сфера применения  

Описание

HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK] - IGBT транзисторы

IGBT транзисторы HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 277 шт.
Мин. кол-воЦена
207.68 р. 
25 157.27 р. 
250 154.80 р. 
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.