Максимальное напряжение кэ ,В | - |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
Максимальная частота переключения, кГц | - |
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
Мощность макс.,Вт | - |
Управляющее напряжение,В | - |
Температурный диапазон,С | - |
Корпус | - |
Особенности*: сфера применения | - |
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK] - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 207.68 р. |
25 | 157.27 р. |
250 | 154.80 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.