РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTD1N120BNS9A

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80042
163.20 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 5.3A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 6A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A 
Power - Max 60W 
Switching Energy 70µJ (on), 90µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 14nC 
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns 
Test Condition 960V, 1A, 82 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 
Supplier Device Package TO-252AA 
Base Part Number HGTD1N120 

Описание

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA - IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA

IGBT транзисторы HGTD1N120BNS9A

Datasheet HGTD1N120BNS9A (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Мин. кол-воЦена
163.20 р. 
10 146.27 р. 
100 114.05 р. 
500 94.21 р. 
1,000 74.38 р. 
HGTD1N120BNS9A
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.