РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTD3N60C3S9A

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81687

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 6A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A 
Power - Max 33W 
Switching Energy 85µJ (on), 245µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 10.8nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 480V, 3A, 82 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 
Supplier Device Package TO-252AA 

Описание

IGBT 600V 6A 33W TO252AA - IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA

IGBT транзисторы HGTD3N60C3S9A

Datasheet HGTD3N60C3S9A (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
HGTD3N60C3S9A
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.