РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]

Производитель: ONSemiconductor
Арт: 34090
434.24 р.

Техническая спецификация

Максимальное напряжение кэ ,В 
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 
Максимальная частота переключения, кГц 
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением  
Мощность макс.,Вт 
Управляющее напряжение,В 
Температурный диапазон,С 
Корпус 
Особенности*: сфера применения  

Описание

HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247] - IGBT транзисторы

IGBT транзисторы HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 246 шт.
Мин. кол-воЦена
434.24 р. 
407.81 р. 
50 400.44 р. 
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.