РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG11N120CN

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81730

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 43A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A 
Power - Max 298W 
Switching Energy 400µJ (on), 1.3mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 100nC 
Td (on/off) @ 25°C 23ns/180ns 
Test Condition 960V, 11A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 43A 298W TO247 - IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы HGTG11N120CN

Datasheet HGTG11N120CN (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
HGTG11N120CN
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.