РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG12N60B3

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81729

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 27A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 110A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A 
Power - Max 104W 
Switching Energy 150µJ (on), 250µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 51nC 
Td (on/off) @ 25°C 26ns/150ns 
Test Condition 480V, 12A, 25 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247-3 
Base Part Number HGTG12N60 

Описание

IGBT 600V 27A 104W TO247 - IGBT 600V 27A 104W Through Hole TO-247-3

IGBT транзисторы HGTG12N60B3

Datasheet HGTG12N60B3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
HGTG12N60B3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.