РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG12N60B3, 27A/600V N-

Производитель: ONSemiconductor
Арт: 34095
396.48 р.

Техническая спецификация

Максимальное напряжение кэ ,В 600 
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 27 
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 
Максимальная частота переключения, кГц 
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением  n-канал 
Мощность макс.,Вт 104 
Управляющее напряжение,В 
Температурный диапазон,С -55...150 
Корпус TO247AC 
Особенности*: сфера применения  

Описание

HGTG12N60B3, 27A/600V N- - IGBT транзисторы

IGBT транзисторы HGTG12N60B3, 27A/600V N-

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 271 шт.
Мин. кол-воЦена
396.48 р. 
30 292.64 р. 
300 225.63 р. 
HGTG12N60B3, 27A/600V N-
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.