РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG18N120BN

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80980
630.04 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 54A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 165A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A 
Power - Max 390W 
Switching Energy 800µJ (on), 1.8mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 165nC 
Td (on/off) @ 25°C 23ns/170ns 
Test Condition 960V, 18A, 3 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 54A 390W TO247 - IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы HGTG18N120BN

Datasheet HGTG18N120BN (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Мин. кол-воЦена
630.04 р. 
HGTG18N120BN
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.