РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG20N60A4D

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80264
522.24 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 280A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A 
Power - Max 290W 
Switching Energy 105µJ (on), 150µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 142nC 
Td (on/off) @ 25°C 15ns/73ns 
Test Condition 390V, 20A, 3 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 35ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 
Base Part Number HGTG20N60 

Описание

IGBT 600V 70A 290W TO247 - IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы HGTG20N60A4D

Datasheet HGTG20N60A4D (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Мин. кол-воЦена
522.24 р. 
10 469.00 р. 
100 384.27 р. 
500 327.13 р. 
1,000 275.89 р. 
HGTG20N60A4D
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.