РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG20N60B3D

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 79651
633.42 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 40A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A 
Power - Max 165W 
Switching Energy 475µJ (on), 1.05mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 80nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 55ns 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 
Base Part Number HGTG20N60 

Описание

IGBT 600V 40A 165W TO247 - IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы HGTG20N60B3D

Datasheet HGTG20N60B3D (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 78 шт.
Мин. кол-воЦена
633.42 р. 
10 568.96 р. 
100 466.14 р. 
500 396.82 р. 
1,000 334.67 р. 
HGTG20N60B3D
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.