РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG30N60A4D

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80058
849.66 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 75A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A 
Power - Max 463W 
Switching Energy 280µJ (on), 240µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 225nC 
Td (on/off) @ 25°C 25ns/150ns 
Test Condition 390V, 30A, 3 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 55ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247-3 
Base Part Number HGTG30N60 

Описание

IGBT 600V 75A 463W TO247 - IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3

IGBT транзисторы HGTG30N60A4D

Datasheet HGTG30N60A4D (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Мин. кол-воЦена
849.66 р. 
10 767.96 р. 
100 635.78 р. 
500 553.63 р. 
1,000 482.19 р. 
HGTG30N60A4D
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.