РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG30N60B3

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80746
358.88 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A 
Power - Max 208W 
Switching Energy 500µJ (on), 680µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 170nC 
Td (on/off) @ 25°C 36ns/137ns 
Test Condition 480V, 30A, 3 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 
Base Part Number HGTG30N60 

Описание

IGBT 600V 60A 208W TO247 - IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы HGTG30N60B3

Datasheet HGTG30N60B3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Мин. кол-воЦена
358.88 р. 
HGTG30N60B3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.