РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTG5N120BND

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80252
313.14 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 21A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A 
Power - Max 167W 
Switching Energy 450µJ (on), 390µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 53nC 
Td (on/off) @ 25°C 22ns/160ns 
Test Condition 960V, 5A, 25 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 65ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 21A 167W TO247 - IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы HGTG5N120BND

Datasheet HGTG5N120BND (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
313.14 р. 
10 281.01 р. 
100 225.89 р. 
500 185.59 р. 
1,000 153.77 р. 
HGTG5N120BND
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.