РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTP12N60C3

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81719

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 24A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 96A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 12A 
Power - Max 104W 
Switching Energy 380µJ (on), 900µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 48nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220AB 
Base Part Number HGTP12N60 

Описание

IGBT 600V 24A 104W TO220AB - IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-220AB

IGBT транзисторы HGTP12N60C3

Datasheet HGTP12N60C3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
HGTP12N60C3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.