РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTP12N60C3, 24A/600V N-

Производитель: ONSemiconductor
Арт: 34113
358.72 р.

Техническая спецификация

Максимальное напряжение кэ ,В 600 
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 24 
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.2 
Максимальная частота переключения, кГц 
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением  n-канал 
Мощность макс.,Вт 104 
Управляющее напряжение,В 7.5 
Температурный диапазон,С -55...150 
Корпус TO247AC 
Особенности*: сфера применения  

Описание

HGTP12N60C3, 24A/600V N- - IGBT транзисторы

IGBT транзисторы HGTP12N60C3, 24A/600V N-

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 506 шт.
Мин. кол-воЦена
358.72 р. 
400 260.54 р. 
4000 193.16 р. 
HGTP12N60C3, 24A/600V N-
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.