| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Power - Max | 167W |
| Switching Energy | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 53nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/160ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB - IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
IGBT транзисторы HGTP5N120BND
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 163.81 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.