РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTP7N60A4D

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81628

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 34A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A 
Power - Max 125W 
Switching Energy 55µJ (on), 60µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 37nC 
Td (on/off) @ 25°C 11ns/100ns 
Test Condition 390V, 7A, 25 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 34ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220AB 
Base Part Number HGTP7N60 

Описание

IGBT 600V 34A 125W TO220AB - IGBT 600V 34A 125W Through Hole TO-220AB

IGBT транзисторы HGTP7N60A4D

Datasheet HGTP7N60A4D (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
HGTP7N60A4D
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.