РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

HGTP7N60B3D

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81727

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 14A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A 
Power - Max 60W 
Switching Energy 160µJ (on), 120µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 23nC 
Td (on/off) @ 25°C 26ns/130ns 
Test Condition 480V, 7A, 50 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 37ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220AB 
Base Part Number HGTP7N60 

Описание

IGBT 600V 14A 60W TO220AB - IGBT 600V 14A 60W Through Hole TO-220AB

IGBT транзисторы HGTP7N60B3D

Datasheet HGTP7N60B3D (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
HGTP7N60B3D
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.