РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IGB01N120H2ATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 80340
74.38 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 3.2A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 3.5A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A 
Power - Max 28W 
Switching Energy 140µJ 
Input Type Standard 
Gate Charge 8.6nC 
Td (on/off) @ 25°C 13ns/370ns 
Test Condition 800V, 1A, 241 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 

Описание

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 - IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO263-3-2

IGBT транзисторы IGB01N120H2ATMA1

Datasheet IGB01N120H2ATMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Мин. кол-воЦена
74.38 р. 
IGB01N120H2ATMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.