РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IGB03N120H2ATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 80386
88.41 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Not For New Designs 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 9.6A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 9.9A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A 
Power - Max 62.5W 
Switching Energy 290µJ 
Input Type Standard 
Gate Charge 22nC 
Td (on/off) @ 25°C 9.2ns/281ns 
Test Condition 800V, 3A, 82 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package PG-TO263-3 

Описание

IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 - IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3

IGBT транзисторы IGB03N120H2ATMA1

Datasheet IGB03N120H2ATMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Мин. кол-воЦена
88.41 р. 
IGB03N120H2ATMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.